MMIX1X200N60B3 - IXYS

номер части	MMIX1X200N60B3
Статус детали	Active
Тип IGBT	PT
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	600V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	223A
Текущий - коллектор импульсный (Icm)	1000A
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic	1.7V @ 15V, 100A
Мощность - макс.	625W
Энергия переключения	2.85mJ (on), 2.9mJ (off)
Тип ввода	Standard
Ворота затвора	315nC
Td (вкл. / Выкл.) При 25 ° C	48ns/160ns
Условия тестирования	360V, 100A, 1 Ohm, 15V
Время обратного восстановления (trr)	-
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	24-PowerSMD, 21 Leads
Пакет устройств поставщика	SMPD
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
MMIX1F132N50P3	IXYS	MOSFET N-CH 500V 63A SMPD	подробности
MMIX1F160N30T	IXYS	MOSFET N-CH 300V 102A SMPD	подробности
MMIX1F180N25T	IXYS	MOSFET N-CH 250V 130A SMPD	подробности
MMIX1F210N30P3	IXYS	MOSFET N-CH 300V 108A MMIX	подробности
MMIX1F230N20T	IXYS	MOSFET N-CH 200V 168A SMPD	подробности
MMIX1F360N15T2	IXYS	MOSFET N-CH 150V 235A	подробности
MMIX1F40N110P	IXYS	MOSFET N-CH 1100V 24A SMPD	подробности
MMIX1F420N10T	IXYS	MOSFET N-CH 100V 334A SMPD	подробности
MMIX1F44N100Q3	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 30A	подробности
MMIX1F520N075T2	IXYS	MOSFET N-CH 75V 500A	подробности