MMIX1F180N25T - IXYS

номер части	MMIX1F180N25T
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	250V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	132A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 8mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	364nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	23800pF @ 25V
Vgs (Макс.)	±20V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	570W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	13 mOhm @ 90A, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	SMPD
Упаковка / чехол	24-PowerSMD, 21 Leads
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
MMIX1F132N50P3	IXYS	MOSFET N-CH 500V 63A SMPD	подробности
MMIX1F160N30T	IXYS	MOSFET N-CH 300V 102A SMPD	подробности
MMIX1F180N25T	IXYS	MOSFET N-CH 250V 130A SMPD	подробности
MMIX1F210N30P3	IXYS	MOSFET N-CH 300V 108A MMIX	подробности
MMIX1F230N20T	IXYS	MOSFET N-CH 200V 168A SMPD	подробности
MMIX1F360N15T2	IXYS	MOSFET N-CH 150V 235A	подробности
MMIX1F40N110P	IXYS	MOSFET N-CH 1100V 24A SMPD	подробности
MMIX1F420N10T	IXYS	MOSFET N-CH 100V 334A SMPD	подробности
MMIX1F44N100Q3	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 30A	подробности
MMIX1F520N075T2	IXYS	MOSFET N-CH 75V 500A	подробности