IXTY1N80 - IXYS

номер части	IXTY1N80
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	800V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	750mA (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 25µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	8.5nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	220pF @ 25V
Vgs (Макс.)	±20V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	40W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	11 Ohm @ 500mA, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	TO-252AA
Упаковка / чехол	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
IXT-1-1N100S1	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC	подробности
IXT-1-1N100S1-TR	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC	подробности
IXTA02N250	IXYS	MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263	подробности
IXTA02N250HV	IXYS	MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263	подробности
IXTA02N450HV	IXYS	MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO263	подробности
IXTA05N100	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-263	подробности
IXTA05N100HV	IXYS	MOSFET N-CH 1KV 750MA TO263	подробности
IXTA06N120P	IXYS	MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-263	подробности
IXTA08N100D2	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 800MA D2PAK	подробности
IXTA08N100D2HV	IXYS	MOSFET N-CH	подробности