IXTP1R4N100P Подробное описание
| номер части |
IXTP1R4N100P |
| Статус детали |
Active |
| Тип полевого транзистора |
N-Channel |
| Технологии |
MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) |
1000V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C |
1.4A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) |
10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
4.5V @ 50µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs |
17.8nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds |
450pF @ 25V |
| Vgs (Макс.) |
±20V |
| Функция FET |
- |
| Рассеиваемая мощность (макс.) |
63W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs |
11 Ohm @ 500mA, 10V |
| Рабочая Температура |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа |
Through Hole |
| Пакет устройств поставщика |
TO-220AB |
| Упаковка / чехол |
TO-220-3 |
| Вес |
- |
| Страна происхождения |
- |
СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ IXTP1R4N100P
