IXTP02N120P - IXYS

номер части	IXTP02N120P
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	1200V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	200mA (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 100µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	4.7nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	104pF @ 25V
Vgs (Макс.)	±20V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	33W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	75 Ohm @ 100mA, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Пакет устройств поставщика	TO-220AB
Упаковка / чехол	TO-220-3
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
IXTP01N100D	IXYS	MOSFET N-CH 1KV .1A TO-220AB	подробности
IXTP02N120P	IXYS	MOSFET N-CH 1200V 0.2A TO-220	подробности
IXTP02N50D	IXYS	MOSFET N-CH 500V 0.2A TO-220	подробности
IXTP05N100	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-220	подробности
IXTP05N100M	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 700MA TO-220	подробности
IXTP05N100P	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 500MA TO-263	подробности
IXTP06N120P	IXYS	MOSFET N-CH 1200V 600MA TO-220	подробности
IXTP08N100D2	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO220AB	подробности
IXTP08N100P	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-220	подробности
IXTP08N120P	IXYS	MOSFET N-CH 1200V 800MA TO-220	подробности