IXTN40P50P - IXYS

номер части	IXTN40P50P
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	P-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	500V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	40A
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	205nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	11500pF @ 25V
Vgs (Макс.)	±20V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	890W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	230 mOhm @ 500mA, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Chassis Mount
Пакет устройств поставщика	SOT-227B
Упаковка / чехол	SOT-227-4, miniBLOC
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
IXTN102N65X2	IXYS	MOSFET N-CH 650V 76A X2 SOT-227	подробности
IXTN110N20L2	IXYS	MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227	подробности
IXTN120N25	IXYS	MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227	подробности
IXTN120P20T	IXYS	MOSFET P-CH 200V 106A SOT-227	подробности
IXTN170P10P	IXYS	MOSFET P-CH 100V 170A SOT227	подробности
IXTN17N120L	IXYS	MOSFET N-CH 1200V 15A SOT-227B	подробности
IXTN200N10L2	IXYS	MOSFET N-CH 100V 178A SOT-227	подробности
IXTN200N10T	IXYS	MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227	подробности
IXTN210P10T	IXYS	MOSFET P-CH 100V 210A SOT-227	подробности
IXTN21N100	IXYS	MOSFET N-CH 1KV 21A SOT-227B	подробности