IXTN40P50P - IXYS

Numéro d'article	IXTN40P50P
État de la pièce	Active
FET Type	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	500V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	40A
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	205nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	11500pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	890W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	230 mOhm @ 500mA, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount
Package de périphérique fournisseur	SOT-227B
Paquet / cas	SOT-227-4, miniBLOC
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
IXTN102N65X2	IXYS	MOSFET N-CH 650V 76A X2 SOT-227	Détails
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