IXTA3N100D2HV - IXYS

номер части	IXTA3N100D2HV
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	1000V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	3A (Tj)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	0V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	6 Ohm @ 1.5A, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	37.5nC @ 5V
Vgs (Макс.)	±20V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	1020pF @ 25V
Функция FET	Depletion Mode
Рассеиваемая мощность (макс.)	125W (Tc)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	TO-263HV
Упаковка / чехол	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
IXTA300N04T2	IXYS	MOSFET N-CH 40V 300A TO-263	подробности
IXTA300N04T2-7	IXYS	MOSFET N-CH 40V 300A TO-263	подробности
IXTA32N20T	IXYS	MOSFET N-CH 200V 32A TO-263	подробности
IXTA32P05T	IXYS	MOSFET P-CH 50V 32A TO-263	подробности
IXTA32P20T	IXYS	MOSFET P-CH 200V 32A TO-263	подробности
IXTA340N04T4	IXYS	MOSFET N-CH 40V 340A	подробности
IXTA340N04T4-7	IXYS	MOSFET N-CH 40V 340A	подробности
IXTA34N65X2	IXYS	MOSFET N-CH	подробности
IXTA36N20T	IXYS	MOSFET N-CH 200V 36A TO-263	подробности
IXTA36N30P	IXYS	MOSFET N-CH 300V 36A TO-263	подробности