IXTA3N100D2HV - IXYS

Numero di parte	IXTA3N100D2HV
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1000V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	3A (Tj)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	0V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6 Ohm @ 1.5A, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	37.5nC @ 5V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1020pF @ 25V
Caratteristica FET	Depletion Mode
Dissipazione di potenza (max)	125W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-263HV
Pacchetto / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
IXTA300N04T2	IXYS	MOSFET N-CH 40V 300A TO-263	Dettagli
IXTA300N04T2-7	IXYS	MOSFET N-CH 40V 300A TO-263	Dettagli
IXTA32N20T	IXYS	MOSFET N-CH 200V 32A TO-263	Dettagli
IXTA32P05T	IXYS	MOSFET P-CH 50V 32A TO-263	Dettagli
IXTA32P20T	IXYS	MOSFET P-CH 200V 32A TO-263	Dettagli
IXTA340N04T4	IXYS	MOSFET N-CH 40V 340A	Dettagli
IXTA340N04T4-7	IXYS	MOSFET N-CH 40V 340A	Dettagli
IXTA34N65X2	IXYS	MOSFET N-CH	Dettagli
IXTA36N20T	IXYS	MOSFET N-CH 200V 36A TO-263	Dettagli
IXTA36N30P	IXYS	MOSFET N-CH 300V 36A TO-263	Dettagli