IXTA2R4N120P

IXTA2R4N120P - IXYS

номер части
IXTA2R4N120P
производитель
IXYS
Краткое описание
MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-263
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
IXTA2R4N120P Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
5629 pcs
Справочная цена
USD 4.653/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку IXTA2R4N120P

IXTA2R4N120P Подробное описание

номер части IXTA2R4N120P
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 1200V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 2.4A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 37nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 1207pF @ 25V
Vgs (Макс.) ±20V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 125W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 7.5 Ohm @ 500mA, 10V
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика TO-263 (IXTA)
Упаковка / чехол TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ IXTA2R4N120P