IXKR25N80C - IXYS

номер части	IXKR25N80C
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	800V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	25A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 2mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	355nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	-
Vgs (Макс.)	±20V
Функция FET	Super Junction
Рассеиваемая мощность (макс.)	-
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	150 mOhm @ 18A, 10V
Рабочая Температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Пакет устройств поставщика	ISOPLUS247™
Упаковка / чехол	ISOPLUS247™
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
IXKR25N80C	IXYS	MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS247	подробности
IXKR40N60C	IXYS	MOSFET N-CH 600V 38A ISOPLUS247	подробности
IXKR47N60C5	IXYS	MOSFET N-CH 600V 47A ISOPLUS247	подробности