IXKR25N80C

IXKR25N80C - IXYS

Artikelnummer
IXKR25N80C
Hersteller
IXYS
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS247
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
62 pcs
Referenzpreis
USD 18.03/pcs
Unser Preis
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IXKR25N80C detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IXKR25N80C
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 800V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 25A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 2mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 355nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds -
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft Super Junction
Verlustleistung (Max) -
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 150 mOhm @ 18A, 10V
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket ISOPLUS247™
Paket / Fall ISOPLUS247™
Gewicht -
Ursprungsland -

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