• русский
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
Главная › Категории продукта › Дискретный полупроводник › Транзисторы - IGBT - Single › IXGM17N100A
IXGM17N100A

IXGM17N100A - IXYS

номер части
IXGM17N100A
производитель
IXYS
Краткое описание
POWER MOSFET TO-3
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
IXGM17N100A Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - IGBT - Single
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
56442 pcs
Справочная цена
USD 0/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку IXGM17N100A

IXGM17N100A Подробное описание

номер части IXGM17N100A
Статус детали Last Time Buy
Тип IGBT -
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 1000V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 34A
Текущий - коллектор импульсный (Icm) 68A
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic 4V @ 15V, 17A
Мощность - макс. 150W
Энергия переключения 3mJ (off)
Тип ввода Standard
Ворота затвора 120nC
Td (вкл. / Выкл.) При 25 ° C 100ns/500ns
Условия тестирования 800V, 17A, 82 Ohm, 15V
Время обратного восстановления (trr) 200ns
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Through Hole
Упаковка / чехол TO-204AE
Пакет устройств поставщика TO-204AE
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ IXGM17N100A

Образ номер части Производители Описание Посмотреть
IXGM17N100A IXGM17N100A IXYS POWER MOSFET TO-3 подробности
IXGM20N60 IXGM20N60 IXYS POWER MOSFET TO-3 подробности
IXGM20N60A IXGM20N60A IXYS POWER MOSFET TO-3 подробности
IXGM25N100A IXGM25N100A IXYS POWER MOSFET TO-3 подробности
IXGM30N60 IXGM30N60 IXYS POWER MOSFET TO-3 подробности
IXGM40N60 IXGM40N60 IXYS POWER MOSFET TO-3 подробности
IXGM40N60A IXGM40N60A IXYS IGBT LO VOLT 600V 75AMP TO-204AE подробности
IXGM40N60AL IXGM40N60AL IXYS POWER MOSFET TO-3 подробности