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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - IGBT - Simples › IXGM17N100A
IXGM17N100A

IXGM17N100A - IXYS

Numéro d'article
IXGM17N100A
Fabricant
IXYS
Brève description
POWER MOSFET TO-3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
IXGM17N100A Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - IGBT - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
56442 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
Notre prix
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IXGM17N100A Description détaillée

Numéro d'article IXGM17N100A
État de la pièce Last Time Buy
Type d'IGBT -
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1000V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 34A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 68A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 4V @ 15V, 17A
Puissance - Max 150W
Échange d'énergie 3mJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de porte 120nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 100ns/500ns
Condition de test 800V, 17A, 82 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) 200ns
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-204AE
Package de périphérique fournisseur TO-204AE
Poids -
Pays d'origine -

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