IXFY4N60P3 - IXYS

номер части	IXFY4N60P3
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	600V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	4A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	6.9nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	365pF @ 25V
Vgs (Макс.)	±30V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	114W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	2.2 Ohm @ 2A, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	TO-252
Упаковка / чехол	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
IXFY26N30X3	IXYS	300V/26A ULTRA JUNCTION X3-CLASS	подробности
IXFY30N25X3	IXYS	MOSFET N-CH 250V 30A TO252AA	подробности
IXFY36N20X3	IXYS	200V/36A ULTRA JUNCTION X3-CLASS	подробности
IXFY4N60P3	IXYS	MOSFET N-CH 600V 4A TO-252	подробности
IXFY4N85X	IXYS	MOSFET N-CH 850V 3.5A TO252-3	подробности
IXFY5N50P3	IXYS	MOSFET N-CH 500V 5A TO-252	подробности
IXFY8N65X2	IXYS	MOSFET N-CH	подробности