IXFK120N20 - IXYS

номер части	IXFK120N20
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	200V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	120A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 8mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	300nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	9100pF @ 25V
Vgs (Макс.)	±20V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	560W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	17 mOhm @ 60A, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Пакет устройств поставщика	TO-264AA (IXFK)
Упаковка / чехол	TO-264-3, TO-264AA
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
IXFK100N10	IXYS	MOSFET N-CH 100V 100A TO-264AA	подробности
IXFK100N25	IXYS	MOSFET N-CH 250V 100A TO-264AA	подробности
IXFK100N65X2	IXYS	MOSFET N-CH 650V 100A TO-264	подробности
IXFK102N30P	IXYS	MOSFET N-CH 300V 102A TO-264	подробности
IXFK110N07	IXYS	MOSFET N-CH 70V 110A TO-264AA	подробности
IXFK120N20	IXYS	MOSFET N-CH 200V 120A TO-264AA	подробности
IXFK120N20P	IXYS	MOSFET N-CH 200V 120A TO-264	подробности
IXFK120N25	IXYS	MOSFET N-CH 250V 120A TO-264	подробности
IXFK120N25P	IXYS	MOSFET N-CH 250V 120A TO-264	подробности
IXFK120N30P3	IXYS	MOSFET N-CH 300V 120A TO-264	подробности