IXFK120N20 - IXYS

Artikelnummer	IXFK120N20
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	200V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	120A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 8mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	300nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	9100pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	560W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	17 mOhm @ 60A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-264AA (IXFK)
Paket / Fall	TO-264-3, TO-264AA
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
IXFK100N10	IXYS	MOSFET N-CH 100V 100A TO-264AA	Einzelheiten
IXFK100N25	IXYS	MOSFET N-CH 250V 100A TO-264AA	Einzelheiten
IXFK100N65X2	IXYS	MOSFET N-CH 650V 100A TO-264	Einzelheiten
IXFK102N30P	IXYS	MOSFET N-CH 300V 102A TO-264	Einzelheiten
IXFK110N07	IXYS	MOSFET N-CH 70V 110A TO-264AA	Einzelheiten
IXFK120N20	IXYS	MOSFET N-CH 200V 120A TO-264AA	Einzelheiten
IXFK120N20P	IXYS	MOSFET N-CH 200V 120A TO-264	Einzelheiten
IXFK120N25	IXYS	MOSFET N-CH 250V 120A TO-264	Einzelheiten
IXFK120N25P	IXYS	MOSFET N-CH 250V 120A TO-264	Einzelheiten
IXFK120N30P3	IXYS	MOSFET N-CH 300V 120A TO-264	Einzelheiten