IXFJ40N30 - IXYS

номер части	IXFJ40N30
Статус детали	Obsolete
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	300V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	40A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 4mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	200nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	4800pF @ 25V
Vgs (Макс.)	±20V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	300W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	80 mOhm @ 20A, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Пакет устройств поставщика	TO-268
Упаковка / чехол	TO-220-3, Short Tab
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
IXF1002EC	LEVELONE	IXF1002EC LEVELONE BGA New Original Stocks	подробности
IXF611P1	IXYS	IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8DIP	подробности
IXF611S1	IXYS	IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8-SOIC	подробности
IXF611S1T/R	IXYS	IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8-SOIC	подробности
IXFA102N15T	IXYS	MOSFET N-CH 150V 102A D2PAK	подробности
IXFA10N60P	IXYS	MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK	подробности
IXFA10N80P	IXYS	MOSFET N-CH 800V 10A TO-263	подробности
IXFA110N15T2	IXYS	MOSFET N-CH 150V 110A D2PAK	подробности
IXFA12N50P	IXYS	MOSFET N-CH 500V 12A D2-PAK	подробности
IXFA12N65X2	IXYS	MOSFET N-CH	подробности