IXFH80N65X2-4 - IXYS

номер части	IXFH80N65X2-4
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	650V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	38 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 4mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	140nC @ 10V
Vgs (Макс.)	±30V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	8300pF @ 25V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	890W (Tc)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Пакет устройств поставщика	TO-247-4L
Упаковка / чехол	TO-247-4
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
IXFH80N06	IXYS	MOSFET N-CH 60V 80A TO-247	подробности
IXFH80N08	IXYS	MOSFET N-CH 80V 80A TO-247	подробности
IXFH80N085	IXYS	MOSFET N-CH 85V 80A TO-247	подробности
IXFH80N10	IXYS	MOSFET N-CH 100V 80A TO-247	подробности
IXFH80N10Q	IXYS	MOSFET N-CH 100V 80A TO-247AD	подробности
IXFH80N15Q	IXYS	MOSFET N-CH 150V 80A TO-247AD	подробности
IXFH80N20Q	IXYS	MOSFET N-CH 200V 80A TO-247AD	подробности
IXFH80N25X3	IXYS	MOSFET N-CH 250V 80A TO247	подробности
IXFH80N30P3	IXYS	MOSFET N-CH 300V 80A TO-247	подробности
IXFH80N65X2	IXYS	MOSFET N-CH 650V 80A TO-247	подробности