IXFH80N65X2-4

IXFH80N65X2-4 - IXYS

Número de pieza
IXFH80N65X2-4
Fabricante
IXYS
Breve descripción
MOSFET N-CH
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
16192 pcs
Precio de referencia
USD 10.168/pcs
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IXFH80N65X2-4 Descripción detallada

Número de pieza IXFH80N65X2-4
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 38 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 140nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 8300pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 890W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor TO-247-4L
Paquete / caja TO-247-4
Peso -
País de origen -

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