IS61NLP51236-200B3LI - ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

номер части	IS61NLP51236-200B3LI
Статус детали	Obsolete
Тип памяти	Volatile
Формат памяти	SRAM
Технологии	SRAM - Synchronous
Размер памяти	18Mb (512K x 36)
Частота часов	200MHz
Время цикла записи - слово, страница	-
Время доступа	3.1ns
Интерфейс памяти	Parallel
Напряжение - Поставка	3.135 V ~ 3.465 V
Рабочая Температура	-40°C ~ 85°C (TA)
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	165-TFBGA
Пакет устройств поставщика	165-TFBGA (13x15)
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
IS61NLP102418-200B3	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA	подробности
IS61NLP102418-200B3-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA	подробности
IS61NLP102418-200B3I	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA	подробности
IS61NLP102418-200B3I-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA	подробности
IS61NLP102418-200B3LI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 18MBIT 200MHZ 165BGA	подробности
IS61NLP102418-200B3LI-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 18MBIT 200MHZ 165BGA	подробности
IS61NLP102418-200TQ	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 18MBIT 200MHZ 100TQFP	подробности
IS61NLP102418-200TQ-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 18MBIT 200MHZ 100TQFP	подробности
IS61NLP102418-200TQLI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 18MBIT 200MHZ 100TQFP	подробности
IS61NLP102418-200TQLI-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 18MBIT 200MHZ 100TQFP	подробности