IS61NLP102418-200B3-TR - ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

номер части	IS61NLP102418-200B3-TR
Статус детали	Active
Тип памяти	Volatile
Формат памяти	SRAM
Технологии	SRAM - Synchronous
Размер памяти	18Mb (1M x 18)
Частота часов	200MHz
Время цикла записи - слово, страница	-
Время доступа	3.1ns
Интерфейс памяти	Parallel
Напряжение - Поставка	3.135V ~ 3.465V
Рабочая Температура	0°C ~ 70°C (TA)
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	165-TBGA
Пакет устройств поставщика	165-TFBGA (13x15)
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
IS61NLP102418-200B3	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA	подробности
IS61NLP102418-200B3-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA	подробности
IS61NLP102418-200B3I	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA	подробности
IS61NLP102418-200B3I-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA	подробности
IS61NLP102418-200B3LI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 18MBIT 200MHZ 165BGA	подробности
IS61NLP102418-200B3LI-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 18MBIT 200MHZ 165BGA	подробности
IS61NLP102418-200TQ	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 18MBIT 200MHZ 100TQFP	подробности
IS61NLP102418-200TQ-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 18MBIT 200MHZ 100TQFP	подробности
IS61NLP102418-200TQLI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 18MBIT 200MHZ 100TQFP	подробности
IS61NLP102418-200TQLI-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 18MBIT 200MHZ 100TQFP	подробности