IS61NLP25636B-200TQLI - ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

номер части	IS61NLP25636B-200TQLI
Статус детали	Active
Тип памяти	Volatile
Формат памяти	SRAM
Технологии	SRAM - Synchronous
Размер памяти	9Mb (256K x 36)
Частота часов	200MHz
Время цикла записи - слово, страница	-
Время доступа	3.1ns
Интерфейс памяти	Parallel
Напряжение - Поставка	3.135V ~ 3.465V
Рабочая Температура	-40°C ~ 85°C (TA)
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	100-LQFP
Пакет устройств поставщика	100-LQFP (14x20)
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
IS61NLP102418-200B3	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA	подробности
IS61NLP102418-200B3-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA	подробности
IS61NLP102418-200B3I	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA	подробности
IS61NLP102418-200B3I-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA	подробности
IS61NLP102418-200B3LI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 18MBIT 200MHZ 165BGA	подробности
IS61NLP102418-200B3LI-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 18MBIT 200MHZ 165BGA	подробности
IS61NLP102418-200TQ	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 18MBIT 200MHZ 100TQFP	подробности
IS61NLP102418-200TQ-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 18MBIT 200MHZ 100TQFP	подробности
IS61NLP102418-200TQLI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 18MBIT 200MHZ 100TQFP	подробности
IS61NLP102418-200TQLI-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 18MBIT 200MHZ 100TQFP	подробности