| номер части | F1423NBGI |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| частота | 600MHz ~ 3GHz |
| P1dB | 21.4dBm (138mW) |
| Усиление | 12.6dB |
| Коэффициент шума | 5.8dB |
| Тип RF | LTE, WiMax |
| Напряжение - Поставка | 3.15 V ~ 5.25 V |
| Текущий - поставка | 120mA |
| Частота испытаний | 2.2GHz |
| Упаковка / чехол | 24-WFQFN Exposed Pad |
| Пакет устройств поставщика | 24-TQFN (4x4) |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
F1400CA03 | Curtis Industries | PWR ENT MOD RCPT IEC320-C14 PNL | подробности |
|
F1400CA06 | Curtis Industries | PWR ENT MOD RCPT IEC320-C14 PNL | подробности |
 |
F1401 | C&K | SWITCH CAP | подробности |
|
F1402 | C&K | SWITCH CAP | подробности |
|
F1403 | C&K | SWITCH CAP | подробности |
|
F1404 | C&K | SWITCH CAP | подробности |
 |
F1410 | POLYFET | PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR | подробности |
|
F1415 | POLYFET | PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR | подробности |
|
F1419 | POLYFET | PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR | подробности |
 |
F1423EVB-DI | IDT, Integrated Device Technology Inc | RF | подробности |
