| Numéro d'article | F1423NBGI |
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| État de la pièce | Active |
| La fréquence | 600MHz ~ 3GHz |
| P1dB | 21.4dBm (138mW) |
| Gain | 12.6dB |
| Figure de bruit | 5.8dB |
| Type RF | LTE, WiMax |
| Tension - Alimentation | 3.15 V ~ 5.25 V |
| Offre actuelle | 120mA |
| Fréquence de test | 2.2GHz |
| Paquet / cas | 24-WFQFN Exposed Pad |
| Package de périphérique fournisseur | 24-TQFN (4x4) |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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F1400CA03 | Curtis Industries | PWR ENT MOD RCPT IEC320-C14 PNL | Détails |
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F1400CA06 | Curtis Industries | PWR ENT MOD RCPT IEC320-C14 PNL | Détails |
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F1401 | C&K | SWITCH CAP | Détails |
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F1402 | C&K | SWITCH CAP | Détails |
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F1403 | C&K | SWITCH CAP | Détails |
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F1404 | C&K | SWITCH CAP | Détails |
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F1410 | POLYFET | PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR | Détails |
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F1415 | POLYFET | PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR | Détails |
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F1419 | POLYFET | PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR | Détails |
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F1423EVB-DI | IDT, Integrated Device Technology Inc | RF | Détails |
