70V659S10BFG8 - IDT, Integrated Device Technology Inc

номер части	70V659S10BFG8
Статус детали	Active
Тип памяти	Volatile
Формат памяти	SRAM
Технологии	SRAM - Dual Port, Asynchronous
Размер памяти	4.5Mb (128K x 36)
Частота часов	-
Время цикла записи - слово, страница	10ns
Время доступа	10ns
Интерфейс памяти	Parallel
Напряжение - Поставка	3.15 V ~ 3.45 V
Рабочая Температура	0°C ~ 70°C (TA)
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	208-LFBGA
Пакет устройств поставщика	208-CABGA (15x15)
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
70V657S10BC	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 1.125MBIT 10NS 256CABGA	подробности
70V657S10BC8	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 1.125MBIT 10NS 256CABGA	подробности
70V657S10BCG	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 1.125MBIT 10NS 256CABGA	подробности
70V657S10BFG	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 1.125MBIT 10NS 208CABGA	подробности
70V657S10BFG8	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 1.125MBIT 10NS 208CABGA	подробности
70V657S10DR	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 1.125MBIT 10NS 208QFP	подробности
70V657S10DRG	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 1.125MBIT 10NS 208QFP	подробности
70V657S10DRG8	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 1.125MBIT 10NS 208QFP	подробности
70V657S12BC	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 1.125MBIT 12NS 256CABGA	подробности
70V657S12BC8	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 1.125MBIT 12NS 256CABGA	подробности