70V659S10BFG8 - IDT, Integrated Device Technology Inc

Artikelnummer	70V659S10BFG8
Teilstatus	Active
Speichertyp	Volatile
Speicherformat	SRAM
Technologie	SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße	4.5Mb (128K x 36)
Taktfrequenz	-
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite	10ns
Zugriffszeit	10ns
Speicherschnittstelle	Parallel
Spannungsversorgung	3.15 V ~ 3.45 V
Betriebstemperatur	0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	208-LFBGA
Lieferantengerätepaket	208-CABGA (15x15)
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
70V657S10BC	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 1.125MBIT 10NS 256CABGA	Einzelheiten
70V657S10BC8	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 1.125MBIT 10NS 256CABGA	Einzelheiten
70V657S10BCG	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 1.125MBIT 10NS 256CABGA	Einzelheiten
70V657S10BFG	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 1.125MBIT 10NS 208CABGA	Einzelheiten
70V657S10BFG8	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 1.125MBIT 10NS 208CABGA	Einzelheiten
70V657S10DR	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 1.125MBIT 10NS 208QFP	Einzelheiten
70V657S10DRG	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 1.125MBIT 10NS 208QFP	Einzelheiten
70V657S10DRG8	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 1.125MBIT 10NS 208QFP	Einzelheiten
70V657S12BC	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 1.125MBIT 12NS 256CABGA	Einzelheiten
70V657S12BC8	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 1.125MBIT 12NS 256CABGA	Einzelheiten