SPD30P06PGBTMA1

SPD30P06PGBTMA1 - Infineon Technologies

номер части
SPD30P06PGBTMA1
производитель
Infineon Technologies
Краткое описание
MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
SPD30P06PGBTMA1 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
241617 pcs
Справочная цена
USD 0.68145/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку SPD30P06PGBTMA1

SPD30P06PGBTMA1 Подробное описание

номер части SPD30P06PGBTMA1
Статус детали Active
Тип полевого транзистора P-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 60V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 75 mOhm @ 21.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1.7mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 48nC @ 10V
Vgs (Макс.) ±20V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 1535pF @ 25V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 125W (Tc)
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика PG-TO252-3
Упаковка / чехол TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ SPD30P06PGBTMA1