SPD30P06PGBTMA1 - Infineon Technologies

номер части	SPD30P06PGBTMA1
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	P-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	60V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	75 mOhm @ 21.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1.7mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	48nC @ 10V
Vgs (Макс.)	±20V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	1535pF @ 25V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	125W (Tc)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TO252-3
Упаковка / чехол	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
SPD30N03L	infineon	SPD30N03L infineon P-TO25.. New Original Stocks	подробности
SPD30N03S2L-07	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 30A DPAK	подробности
SPD30N03S2L-07G	I	SPD30N03S2L-07G I TO-252 New Original Stocks	подробности
SPD30N03S2L-10	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 30A DPAK	подробности
SPD30N03S2L-10G	I	SPD30N03S2L-10G I TO-252 New Original Stocks	подробности
SPD30N03S2L-20	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 30A DPAK	подробности
SPD30N03S2L-20G	I	SPD30N03S2L-20G I TO-252 New Original Stocks	подробности
SPD30N03S2L07GBTMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3	подробности
SPD30N03S2L07T	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 30A DPAK	подробности
SPD30N03S2L10GBTMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3	подробности