SPD30P06PGBTMA1

SPD30P06PGBTMA1 - Infineon Technologies

Número de pieza
SPD30P06PGBTMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
241617 pcs
Precio de referencia
USD 0.68145/pcs
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SPD30P06PGBTMA1 Descripción detallada

Número de pieza SPD30P06PGBTMA1
Estado de la pieza Active
Tipo de FET P-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75 mOhm @ 21.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1.7mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 48nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1535pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor PG-TO252-3
Paquete / caja TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso -
País de origen -

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