SPD18P06PGBTMA1 - Infineon Technologies

номер части	SPD18P06PGBTMA1
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	P-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	60V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	18.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	130 mOhm @ 13.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	33nC @ 10V
Vgs (Макс.)	±20V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	860pF @ 25V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	80W (Tc)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TO252-3
Упаковка / чехол	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
SPD18P06P	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 60V 18.6A TO-252	подробности
SPD18P06P G	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3	подробности
SPD18P06PG	I	SPD18P06PG I TO-252 New Original Stocks	подробности
SPD18P06PGBTMA1	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3	подробности