SPD18P06P G

SPD18P06P G - Infineon Technologies

номер части
SPD18P06P G
производитель
Infineon Technologies
Краткое описание
MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
SPD18P06P G Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
51581 pcs
Справочная цена
USD 0.4994/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку SPD18P06P G

SPD18P06P G Подробное описание

номер части SPD18P06P G
Статус детали Active
Тип полевого транзистора P-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 60V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 18.6A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 33nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 860pF @ 25V
Vgs (Макс.) ±20V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 80W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 130 mOhm @ 13.2A, 10V
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика PG-TO252-3
Упаковка / чехол TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ SPD18P06P G