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SPD18P06P G - Infineon Technologies

品番: SPD18P06P G
メーカー: Infineon Technologies
簡単な説明: MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: SPD18P06P G PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: -
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 51636 pcs
参考価格: USD 0.4994/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

SPD18P06P G 詳細な説明

品番	SPD18P06P G
部品ステータス	Active
FETタイプ	P-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	60V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	18.6A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン）	10V
Vgs（th）（Max）@ Id	4V @ 1mA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	33nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	860pF @ 25V
Vgs（最大）	±20V
FET機能	-
消費電力（最大）	80W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs	130 mOhm @ 13.2A, 10V
動作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	PG-TO252-3
パッケージ/ケース	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
重量	-
原産国	-

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