SPB21N50C3ATMA1

SPB21N50C3ATMA1 - Infineon Technologies

номер части
SPB21N50C3ATMA1
производитель
Infineon Technologies
Краткое описание
MOSFET N-CH 560V 21A TO-263
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
SPB21N50C3ATMA1 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
74702 pcs
Справочная цена
USD 2.20405/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку SPB21N50C3ATMA1

SPB21N50C3ATMA1 Подробное описание

номер части SPB21N50C3ATMA1
Статус детали Not For New Designs
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 560V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 21A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 190 mOhm @ 13.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 95nC @ 10V
Vgs (Макс.) ±20V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 2400pF @ 25V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 208W (Tc)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика PG-TO263-3-2
Упаковка / чехол TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ SPB21N50C3ATMA1