SPB18P06PGATMA1 Подробное описание
номер части |
SPB18P06PGATMA1 |
Статус детали |
Active |
Тип полевого транзистора |
P-Channel |
Технологии |
MOSFET (Metal Oxide) |
Слив к источнику напряжения (Vdss) |
60V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C |
18.7A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) |
10V |
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs |
130 mOhm @ 13.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
4V @ 1mA |
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs |
28nC @ 10V |
Vgs (Макс.) |
±20V |
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds |
860pF @ 25V |
Функция FET |
- |
Рассеиваемая мощность (макс.) |
81.1W (Ta) |
Рабочая Температура |
-55°C ~ 175°C (TJ) |
Тип монтажа |
Surface Mount |
Пакет устройств поставщика |
D²PAK (TO-263AB) |
Упаковка / чехол |
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Вес |
- |
Страна происхождения |
- |
СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ SPB18P06PGATMA1