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SPB18P06PGATMA1

SPB18P06PGATMA1 - Infineon Technologies

品番: SPB18P06PGATMA1
メーカー: Infineon Technologies
簡単な説明: MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-263
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: SPB18P06PGATMA1 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: -
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 283972 pcs
参考価格: USD 0.57981/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

SPB18P06PGATMA1 詳細な説明

品番	SPB18P06PGATMA1
部品ステータス	Active
FETタイプ	P-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	60V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	18.7A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On（Max）@ Id、Vgs	130 mOhm @ 13.2A, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	4V @ 1mA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	28nC @ 10V
Vgs（最大）	±20V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	860pF @ 25V
FET機能	-
消費電力（最大）	81.1W (Ta)
動作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	D²PAK (TO-263AB)
パッケージ/ケース	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
重量	-
原産国	-

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画像	品番	メーカー	説明	見る
	SPB18P06P	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK	詳細
	SPB18P06P G	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-263	詳細
	SPB18P06PGATMA1	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-263	詳細