SGB02N120 - Infineon Technologies

номер части	SGB02N120
Статус детали	Discontinued at Digi-Key
Тип IGBT	NPT
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	6.2A
Текущий - коллектор импульсный (Icm)	9.6A
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic	3.6V @ 15V, 2A
Мощность - макс.	62W
Энергия переключения	220µJ
Тип ввода	Standard
Ворота затвора	11nC
Td (вкл. / Выкл.) При 25 ° C	23ns/260ns
Условия тестирования	800V, 2A, 91 Ohm, 15V
Время обратного восстановления (trr)	-
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Пакет устройств поставщика	PG-TO263-3
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
SGB	Laird Technologies IAS	ACCY MOB SPRING GUARD B&C BLACK	подробности
SGB-2233	RFMD	IC AMP HBT SIGE 4.5GHZ 16-QFN	подробности
SGB-2433	RFMD	IC AMP HBT SIGE 4GHZ 16-QFN	подробности
SGB-4333	RFMD	IC AMP HBT SIGE 3GHZ 16-QFN	подробности
SGB-4533	RFMD	IC AMP HBT SIGE 3GHZ 16-QFN	подробности
SGB-6433	RFMD	IC AMP HBT SIGE 3.5GHZ 16-QFN	подробности
SGB-6533	RFMD	IC AMP HBT SIGE 3GHZ 16-QFN	подробности
SGB02N120	Infineon Technologies	IGBT 1200V 6.2A 62W TO263-3	подробности
SGB02N120ATMA1	Infineon Technologies	IGBT 1200V 6.2A 62W TO263-3	подробности
SGB02N60ATMA1	Infineon Technologies	IGBT 600V 6A 30W TO263-3	подробности