SGB02N120 - Infineon Technologies

Numéro d'article	SGB02N120
État de la pièce	Discontinued at Digi-Key
Type d'IGBT	NPT
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)	1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	6.2A
Courant - Collecteur pulsé (Icm)	9.6A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	3.6V @ 15V, 2A
Puissance - Max	62W
Échange d'énergie	220µJ
Type d'entrée	Standard
Charge de porte	11nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C	23ns/260ns
Condition de test	800V, 2A, 91 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr)	-
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Package de périphérique fournisseur	PG-TO263-3
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
SGB	Laird Technologies IAS	ACCY MOB SPRING GUARD B&C BLACK	Détails
SGB-2233	RFMD	IC AMP HBT SIGE 4.5GHZ 16-QFN	Détails
SGB-2433	RFMD	IC AMP HBT SIGE 4GHZ 16-QFN	Détails
SGB-4333	RFMD	IC AMP HBT SIGE 3GHZ 16-QFN	Détails
SGB-4533	RFMD	IC AMP HBT SIGE 3GHZ 16-QFN	Détails
SGB-6433	RFMD	IC AMP HBT SIGE 3.5GHZ 16-QFN	Détails
SGB-6533	RFMD	IC AMP HBT SIGE 3GHZ 16-QFN	Détails
SGB02N120	Infineon Technologies	IGBT 1200V 6.2A 62W TO263-3	Détails
SGB02N120ATMA1	Infineon Technologies	IGBT 1200V 6.2A 62W TO263-3	Détails
SGB02N60ATMA1	Infineon Technologies	IGBT 600V 6A 30W TO263-3	Détails