IRF8302MTR1PBF

IRF8302MTR1PBF - Infineon Technologies

номер части
IRF8302MTR1PBF
производитель
Infineon Technologies
Краткое описание
MOSFET N CH 30V 31A MX
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
IRF8302MTR1PBF Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
IRF8302MTR1PBF.pdf
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
3519 pcs
Справочная цена
USD 0/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку IRF8302MTR1PBF

IRF8302MTR1PBF Подробное описание

номер части IRF8302MTR1PBF
Статус детали Obsolete
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 31A (Ta), 190A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 150µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 53nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 6030pF @ 15V
Vgs (Макс.) ±20V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 2.8W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 1.8 mOhm @ 31A, 10V
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика DIRECTFET™ MX
Упаковка / чехол DirectFET™ Isometric MX
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ IRF8302MTR1PBF