IRF8302MTR1PBF

IRF8302MTR1PBF - Infineon Technologies

Número de pieza
IRF8302MTR1PBF
Fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
MOSFET N CH 30V 31A MX
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
4009 pcs
Precio de referencia
USD 0/pcs
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IRF8302MTR1PBF Descripción detallada

Número de pieza IRF8302MTR1PBF
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 31A (Ta), 190A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 150µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 53nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 6030pF @ 15V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 2.8W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8 mOhm @ 31A, 10V
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor DIRECTFET™ MX
Paquete / caja DirectFET™ Isometric MX
Peso -
País de origen -

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