IRF6811STR1PBF

IRF6811STR1PBF - Infineon Technologies

номер части
IRF6811STR1PBF
производитель
Infineon Technologies
Краткое описание
MOSFET N CH 25V 19A DIRECTFET
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
IRF6811STR1PBF Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
IRF6811STR1PBF.pdf
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
3873 pcs
Справочная цена
USD 0/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку IRF6811STR1PBF

IRF6811STR1PBF Подробное описание

номер части IRF6811STR1PBF
Статус детали Obsolete
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 25V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 19A (Ta), 74A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 35µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 17nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 1590pF @ 13V
Vgs (Макс.) ±16V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 2.1W (Ta), 32W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 3.7 mOhm @ 19A, 10V
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика DIRECTFET™ SQ
Упаковка / чехол DirectFET™ Isometric SQ
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ IRF6811STR1PBF