IRF6811STR1PBF

IRF6811STR1PBF - Infineon Technologies

Numero di parte
IRF6811STR1PBF
fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
MOSFET N CH 25V 19A DIRECTFET
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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IRF6811STR1PBF Descrizione dettagliata

Numero di parte IRF6811STR1PBF
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 19A (Ta), 74A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 35µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1590pF @ 13V
Vgs (massimo) ±16V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2.1W (Ta), 32W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7 mOhm @ 19A, 10V
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore DIRECTFET™ SQ
Pacchetto / caso DirectFET™ Isometric SQ
Peso -
Paese d'origine -

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