IRF6811STR1PBF Descrizione dettagliata
Numero di parte |
IRF6811STR1PBF |
Stato parte |
Obsolete |
Tipo FET |
N-Channel |
Tecnologia |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) |
25V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C |
19A (Ta), 74A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) |
4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
2.1V @ 35µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs |
17nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds |
1590pF @ 13V |
Vgs (massimo) |
±16V |
Caratteristica FET |
- |
Dissipazione di potenza (max) |
2.1W (Ta), 32W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
3.7 mOhm @ 19A, 10V |
temperatura di esercizio |
-40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio |
Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore |
DIRECTFET™ SQ |
Pacchetto / caso |
DirectFET™ Isometric SQ |
Peso |
- |
Paese d'origine |
- |
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