IPW60R040CFD7XKSA1 - Infineon Technologies

номер части	IPW60R040CFD7XKSA1
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	600V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	40 mOhm @ 24.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 1.25mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	109nC @ 10V
Vgs (Макс.)	±20V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	4354pF @ 400V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	227W (Tc)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Пакет устройств поставщика	PG-TO247-3
Упаковка / чехол	TO-247-3
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
IPW60R017C7XKSA1	Infineon Technologies	HIGH POWER_NEW	подробности
IPW60R018CFD7XKSA1	Infineon Technologies	HIGH POWERNEW	подробности
IPW60R031CFD7XKSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 600V TO247-3	подробности
IPW60R037CSFDXKSA1	Infineon Technologies	HIGH POWERNEW	подробности
IPW60R037P7XKSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3	подробности
IPW60R040C7XKSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 600V 50A TO247-3	подробности
IPW60R040CFD7XKSA1	Infineon Technologies	HIGH POWERNEW	подробности
IPW60R041C6	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 600V 77.5A TO 247-3	подробности
IPW60R041C6FKSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 600V 77.5A TO 247-3	подробности
IPW60R041P6FKSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-3	подробности