IPW60R040CFD7XKSA1

IPW60R040CFD7XKSA1 - Infineon Technologies

Numéro d'article
IPW60R040CFD7XKSA1
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
HIGH POWERNEW
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
11660 pcs
Prix ​​de référence
USD 14.12/pcs
Notre prix
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IPW60R040CFD7XKSA1 Description détaillée

Numéro d'article IPW60R040CFD7XKSA1
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40 mOhm @ 24.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1.25mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 109nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4354pF @ 400V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 227W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur PG-TO247-3
Paquet / cas TO-247-3
Poids -
Pays d'origine -

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