IPS06N03LA G

IPS06N03LA G - Infineon Technologies

номер части
IPS06N03LA G
производитель
Infineon Technologies
Краткое описание
MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
IPS06N03LA G Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
IPS06N03LA G.pdf
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
3876 pcs
Справочная цена
USD 0/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку IPS06N03LA G

IPS06N03LA G Подробное описание

номер части IPS06N03LA G
Статус детали Obsolete
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 25V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 50A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 40µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 22nC @ 5V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 2653pF @ 15V
Vgs (Макс.) ±20V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 83W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 5.9 mOhm @ 30A, 10V
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа Through Hole
Пакет устройств поставщика PG-TO251-3
Упаковка / чехол TO-251-3 Stub Leads, IPak
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ IPS06N03LA G