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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › IPS06N03LA G
IPS06N03LA G

IPS06N03LA G - Infineon Technologies

Artikelnummer
IPS06N03LA G
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
IPS06N03LA G PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
IPS06N03LA G.pdf
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
4049 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
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IPS06N03LA G detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IPS06N03LA G
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 25V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 50A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 40µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2653pF @ 15V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 83W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 5.9 mOhm @ 30A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket PG-TO251-3
Paket / Fall TO-251-3 Stub Leads, IPak
Gewicht -
Ursprungsland -

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