| номер части | IPP65R074C6XKSA1 |
|---|---|
| Статус детали | Not For New Designs |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 650V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 57.7A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1.4mA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 3020pF @ 100V |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 480.8W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 74 mOhm @ 13.9A, 10V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Пакет устройств поставщика | PG-TO-220-3 |
| Упаковка / чехол | TO-220-3 |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
|
IPP65R045C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 46A TO-220-3 | подробности |
|
IPP65R065C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO-220-3 | подробности |
|
IPP65R074C6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 57.7A TO220 | подробности |
|
IPP65R095C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO-220-3 | подробности |
|
IPP65R099C6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 38A TO220 | подробности |
|
IPP65R110CFDAAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO-220-3 | подробности |
|
IPP65R110CFDXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 700V 31.2A TO220 | подробности |
 |
IPP65R110CFDXKSA2 | Infineon Technologies | HIGH POWERLEGACY | подробности |
|
IPP65R125C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 18A TO220 | подробности |
|
IPP65R150CFDAAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO-220-3 | подробности |
