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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - FET, MOSFET - Simples › IPP65R074C6XKSA1
IPP65R074C6XKSA1

IPP65R074C6XKSA1 - Infineon Technologies

Numéro d'article
IPP65R074C6XKSA1
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
MOSFET N-CH 650V 57.7A TO220
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
IPP65R074C6XKSA1 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
452 pcs
Prix ​​de référence
USD 9.57/pcs
Notre prix
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IPP65R074C6XKSA1 Description détaillée

Numéro d'article IPP65R074C6XKSA1
État de la pièce Not For New Designs
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 57.7A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 1.4mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3020pF @ 100V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 480.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 74 mOhm @ 13.9A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur PG-TO-220-3
Paquet / cas TO-220-3
Poids -
Pays d'origine -

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