| номер части | IPI100N04S4H2AKSA1 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 40V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 100A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 70µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 90nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 7180pF @ 25V |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 115W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 2.7 mOhm @ 100A, 10V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Пакет устройств поставщика | PG-TO262-3 |
| Упаковка / чехол | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
|
IPI100N04S303AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A TO262-3 | подробности |
|
IPI100N04S4H2AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A TO262-3-1 | подробности |
|
IPI100N06S3-03 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 100A I2PAK | подробности |
|
IPI100N06S3-04 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 100A TO-262 | подробности |
|
IPI100N06S3L-03 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 100A TO-262 | подробности |
|
IPI100N06S3L04XK | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 100A TO-262 | подробности |
|
IPI100N08N3GHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 70A TO262-3 | подробности |
|
IPI100N08S207AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 100A TO262-3 | подробности |
|
IPI100N10S305AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3 | подробности |
 |
IPI100N12S305AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL_100+ | подробности |
