| Número de pieza | IPI100N04S4H2AKSA1 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 40V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 100A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 70µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 90nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 7180pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 115W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7 mOhm @ 100A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO262-3 |
| Paquete / caja | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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