IPC045N10N3X1SA1 - Infineon Technologies

номер части	IPC045N10N3X1SA1
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	100V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	1A (Tj)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 33µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	-
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	-
Vgs (Макс.)	-
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	-
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 2A, 10V
Рабочая Температура	-
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	Sawn on foil
Упаковка / чехол	Die
Вес	-
Страна происхождения	-

Образ	номер части	Производители	Описание	Посмотреть
	IPC045N10L3X1SA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V SAWN BARE DIE	подробности
	IPC045N10N3X1SA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V SAWN BARE DIE	подробности